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一种氮化镓基激光器外延结构及其制作方法

基本信息

申请号	CN201210012562.9	申请日	-
公开（公告）号	CN102545058A	公开（公告）日	2012-07-04
申请公布号	CN102545058A	申请公布日	2012-07-04
分类号	H01S5/343(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	李增成;刘建平;张书明;王辉;杨辉	申请（专利权）人	苏州纳睿光电有限公司
代理机构	苏州创元专利商标事务所有限公司	代理人	苏州纳睿光电有限公司;杭州增益光电科技有限公司
地址	215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种新型氮化镓基激光器外延结构的制备方法，包括如下步骤：(a)在衬底上外延生长一层GaN缓冲层；(b)缓冲层上外延n型光限制层；(c)生长下波导层；(d)外延生长InaGa1-aN/GaN多量子阱作为有源区；生长最后一个InaGa1-aN量子阱后，将最后一个GaN势垒层用AlGaN层取代，所述AlGaN层为一层1~50nm厚的Al组分渐变的AlxGa1-xN，或者为至少2层Al组分逐渐增加的AlyGa1-yN层；(e)外延生长一层p型AlzGa1-zN电子阻挡层；所述步骤(d)和(e)中：0≦x≦y≦z≦1；(f)生长上波导层；(g)生长p型光限制层；(h)生长欧姆接触层。本发明的制备方法克服了最上面的GaN势垒层与AlGaN电子阻挡层界面上电子积聚的问题；可有效提高激光器的性能。