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一种氮化物半导体激光器

基本信息

申请号	CN201210012561.4	申请日	-
公开（公告）号	CN102570308A	公开（公告）日	2012-07-11
申请公布号	CN102570308A	申请公布日	2012-07-11
分类号	H01S5/343(2006.01)I;H01S5/20(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	冯美鑫;张书明;刘建平;李增成;杨辉	申请（专利权）人	苏州纳睿光电有限公司
代理机构	苏州创元专利商标事务所有限公司	代理人	陶海锋;陆金星
地址	215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种氮化物半导体激光器，从下至上依次包括GaN衬底，n-GaN层，n-AlGaN/GaN超晶格限制层，下InxGa1-xN渐变波导层，InGaN/GaN多量子阱有源区，上InyGa1-yN渐变波导层，p-AlGaN电子阻挡层，p-AlGaN/GaN超晶格限制层，p-GaN接触层；所述下InxGa1-xN渐变波导层中，从下至上In组分含量逐渐增加；所述上InyGa1-yN渐变波导层中，从下至上In组分含量逐渐减少。本发明的氮化物半导体激光器可以有效地减少上InGaN波导层与p-AlGaN电子阻挡层之间的应力，从而避免解理时出现凹凸不平的台阶；同时本发明的氮化物激光器可以增强激光器的光学限制因子，从而有效地提升激光器的性能，取得了显着的效果。