p型叠层渐变带隙硅量子点多层膜及其制备方法和应用专利查询专利号|摘要-满商公司网

p型叠层渐变带隙硅量子点多层膜及其制备方法和应用

基本信息

申请号	CN201910965910.6	申请日	-
公开（公告）号	CN110854215A	公开（公告）日	2020-02-28
申请公布号	CN110854215A	申请公布日	2020-02-28
分类号	H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/0745;H01L31/18	分类	基本电气元件;
发明人	单丹;周寿斌;唐明军;杨瑞洪;曹蕴清;钱松;仇实;陈雪圣	申请（专利权）人	江苏华富储能新技术股份有限公司
代理机构	南京苏创专利代理事务所（普通合伙）	代理人	江苏华富储能新技术股份有限公司;扬州工业职业技术学院
地址	225600 江苏省扬州市高邮经济开发区高邮市电池工业园
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种p型叠层渐变带隙硅量子点多层膜及其制备方法和应用，属于光电技术领域，该p型叠层渐变带隙硅量子点多层膜包括6层硅量子点薄膜，每两层硅量子点薄膜厚度一致，相同厚度规格的硅量子点薄膜相邻，相邻的碳化硅薄膜之间有一层硅量子点薄膜。该制备方法为通过等离子体增强气相沉积工艺在n型硅衬底2和n型硅纳米线3上生长p型叠层渐变带隙硅量子点多层膜。该应用采用p型叠层渐变带隙硅量子点多层膜制备太阳能电池，该电池包括依次叠加的Al电极层、n型硅衬底、n型硅纳米线、p型叠层渐变带隙硅量子点多层膜、石墨烯层和Au电极层。本发明利用叠层硅量子点多层薄膜的渐变带隙来拓宽吸收层中的光响应范围，改善了器件的光电性能。