新型叠层硅量子点异质结太阳能电池及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910965968.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110854232A | 公开（公告）日 | 2020-02-28 |
| 申请公布号 | CN110854232A | 申请公布日 | 2020-02-28 |
| 分类号 | H01L31/0725;H01L31/0745;H01L31/0236;H01L31/0312;H01L31/0352;H01L31/20;C23C14/16;C23C14/24;C23C16/24;C23C16/26;C23C16/32;C23C16/56 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 单丹;周寿斌;唐明军;杨瑞洪;曹蕴清;钱松;仇实;陈雪圣 | 申请（专利权）人 | 江苏华富储能新技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏创专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 江苏华富储能新技术股份有限公司;扬州工业职业技术学院 |
| 地址 | 225600 江苏省扬州市高邮经济开发区高邮市电池工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种新型叠层硅量子点异质结太阳能电池及其制备方法，属于光电技术领域，该太阳能电池包括依次叠加的Al电极层、n型硅衬底、n型硅纳米线、p型叠层渐变带隙硅量子点多层膜、石墨烯层和Au电极层。该方法包括：n型硅纳米线的刻蚀，通过等离子体增强气相沉积工艺在n型硅衬底和n型硅纳米线上生长p型叠层渐变带隙硅量子点多层膜；通过气相沉积工艺在p型叠层渐变带隙硅量子点多层膜上制备石墨烯层；在石墨烯层上蒸镀Au电极层；在n型硅衬底背面蒸镀Al电极层。本发明形成异质结结构，硅材料成本可节约30%，利用叠层硅量子点多层薄膜的渐变带隙来拓宽吸收层中的光响应范围，改善了器件的光电性能，提高电池的光电转换效率至7.4%。 |
