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一种微机电系统结构及其制作方法

基本信息

申请号	CN202111512073.5	申请日	-
公开（公告）号	CN114148984A	公开（公告）日	2022-03-08
申请公布号	CN114148984A	申请公布日	2022-03-08
分类号	B81B3/00（2006.01）I;B81B7/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I;B81C3/00（2006.01）I	分类	微观结构技术〔7〕;
发明人	郭亚;刘尧青;储莉玲;金羊华	申请（专利权）人	美新半导体（天津）有限公司
代理机构	苏州简理知识产权代理有限公司	代理人	庞聪雅
地址	300450天津市自贸试验区（空港经济区）西三道158号金融中心4-501室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种微机电系统结构及其制作方法，所述微机电系统结构包括：第一半导体圆片，其设置有第一空腔、CMOS电路和防护层，第一空腔设置于第一半导体圆片的正面，CMOS电路设置于第一半导体圆片内且位于第一空腔的下方，防护层位于第一空腔的底部且位于所述CMOS电路的上方；第二半导体圆片，其为传感器的微机电系统单元，其包括固定结构、可移动结构和沟槽，第二半导体圆片与第一半导体圆片的正面相键合，第一空腔与可移动结构相对；第三半导体圆片，其与第二半导体圆片的背面相键合，第三半导体圆片的正面与第二半导体圆片的可移动结构的相对位置处设置有第二空腔。与现有技术相比，本发明能够有效防止或减少PID的产生，以对CMOS电路进行保护。