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一种五氧化二铌纳米线膜的大面积制备方法及其氢敏元件

基本信息

申请号 CN201110026084.2 申请日 -
公开（公告）号 CN102180518B 公开（公告）日 2014-03-19
申请公布号 CN102180518B 申请公布日 2014-03-19
分类号 G01N27/04(2006.01)I;C01G33/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;H01L49/00(2006.01)I 分类 测量；测试;
发明人 顾豪爽;王钊;胡永民;胡明哲;王威 申请（专利权）人 武汉正光恒远科技有限公司
代理机构 武汉金堂专利事务所 代理人 湖北大学;武汉正光恒远科技有限公司
地址 430062 湖北省武汉市武昌区学院路11号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提出了一种五氧化二铌纳米线的大面积制备方法及其氢敏元件。具体是将裁剪为合适大小的Nb箔片严格清洗后经过弯曲或折叠处理，置于真空管式炉中严格控制热氧化过程的工艺条件(如Ar流量、O2流量、保温温度与时间等)，合成出大面积具有较高长径比的Nb2O5纳米线。该方法可实现在有限体积的炉管中大面积合成高长径比的Nb2O5纳米线，从而有效降低生产成本。利用该Nb2O5纳米线作为敏感材料，通过溅射制备Pt电极制作的氢敏元件具有尺寸小、功耗低等特点，在室温下对含氢气氛表现出较快的响应速率和较高的灵敏度，有望降低氢敏传感器的尺寸、功耗和生产成本。