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三维神经微电极的制作方法

基本信息

申请号 CN200710171235.7 申请日 -
公开（公告）号 CN100551815C 公开（公告）日 2009-10-21
申请公布号 CN100551815C 申请公布日 2009-10-21
分类号 B81C1/00(2006.01)I 分类 微观结构技术〔7〕;
发明人 隋晓红;李莹辉;任秋实 申请（专利权）人 上海华实投资有限公司
代理机构 上海交达专利事务所 代理人 上海交通大学;上海华实投资有限公司
地址 200240上海市闵行区东川路800号
法律状态 -

摘要

摘要 一种微机电技术领域的三维神经微电极的制作方法，具体如下：以硅片作为衬底，在硅片的正面生长底层SiO2；在底层SiO2上形成金属合金层，并刻蚀出金属互连线、压焊点和接触圆点；底层SiO2正面生长顶层SiO2，并采用缓冲的HF酸溶液刻蚀顶层SiO2，暴露出压焊点和接触圆点，并采用光刻胶填充压焊点；在接触圆点的硅平面结构正面旋涂SU-8胶，并通过光刻与刻蚀工艺，形成圆柱形孔，用光刻胶填充压焊点；在圆柱形孔中电镀生长金属，形成金属圆柱，采用显影方式去除压焊点中的光刻胶，暴露压焊点；进行清洗得到三维多通道微电极阵列。本发明降低制作成本，提高微电极的高度可控性及各通道一致性。