微型可编程浪涌防护器件及其制作工艺
基本信息
申请号 | CN202110813137.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113488526A | 公开(公告)日 | 2021-10-08 |
申请公布号 | CN113488526A | 申请公布日 | 2021-10-08 |
分类号 | H01L29/06;H01L21/82 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 张兴杰;程万坡;卜程德;王荣元 | 申请(专利权)人 | 江苏韦达半导体有限公司 |
代理机构 | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 陈栋智 |
地址 | 225000 江苏省扬州市邗江区科技园路8号8 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种微型可编程浪涌防护器件及其制作工艺,包括以下步骤:在N型单晶硅片的背面扩散一层浓磷;在高温下进行浓磷再扩散,形成器件内二极管的阴极区和三极管的集电区;在硅片正面进行液态硼源扩散,形成一定深度的二极管补硼区;通过离子注入硼对三极管的基区进行掺杂;通过正面液态硼源扩散在正面形成晶闸管的短基区以及三极管的基区补硼区;在三极管基区上通过离子注入磷形成三极管的发射区;正面光刻出引线窗口,同时在边缘开出划片槽;通过LPCVD在表面沉积一层多晶硅;光刻刻出引线孔;正、背面金属化后,得到芯片;本发明制得的芯片具有小型化、防浪涌能力高、成本低、可靠性高等优点。 |
