内沟槽台面工艺触发二极管芯片的制作工艺
基本信息
| 申请号 | CN202110423298.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113161237A | 公开（公告）日 | 2021-07-23 |
| 申请公布号 | CN113161237A | 申请公布日 | 2021-07-23 |
| 分类号 | H01L21/329;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/861 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张兴杰;程万坡;卜程德;王荣元 | 申请（专利权）人 | 江苏韦达半导体有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 陈栋智 |
| 地址 | 225000 江苏省扬州市邗江区科技园路8号8 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种内沟槽台面工艺触发二极管芯片的制作工艺，包括以下步骤：在单晶硅片上通过低温液态源扩散或离子注入方式掺杂一层淡磷；在高温下进行磷再扩散，在淡磷上进行双面浓磷扩散；在淡磷上进行双面局部补硼扩散；在双面进行硅腐蚀，形成内沟槽；在双面沟槽内填充一层玻璃层形成终端保护；双面光刻出引线窗口，同时在边缘开出划片槽；正、背面金属化后，得到芯片。本发明采用的内沟槽钝化保护结构相比常规外沟槽结构有更高的可靠性，产品不易失效与产生漏电，规避了芯片划片、封装等带来的可靠性风险。 |
