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低电容低残压大功率过压保护器件芯片及其制作工艺

基本信息

申请号 CN202110471933.9 申请日 -
公开（公告）号 CN113161347A 公开（公告）日 2021-07-23
申请公布号 CN113161347A 申请公布日 2021-07-23
分类号 H01L27/02;H01L21/8222 分类 基本电气元件;
发明人 张兴杰;程万坡;卜程德;王荣元 申请（专利权）人 江苏韦达半导体有限公司
代理机构 南京苏科专利代理有限责任公司 代理人 陈栋智
地址 225000 江苏省扬州市邗江区科技园路8号8
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种低电容低残压大功率过压保护器件芯片，包括N型单晶硅片，N型单晶硅片的两侧形成有穿通区及触发区，N型单晶硅片的双面形成有基区，N型单晶硅片双面的基区形成阴极区，N型单晶硅片双面形成有双面氧化层，双面氧化层上位于阳极区与穿通区之间处形成内沟槽台面，内沟槽台面处填充有玻璃层，双面氧化层表面与内沟槽台面结构上形成有二氧化硅保护膜，二氧化硅保护膜、双面氧化层上位于基区、阳极区、阴极区上方光刻形成引线窗口，二氧化硅保护膜、双面氧化层上两侧边缘光刻形成划片槽，本发明实现了高浪涌、低残压、低电容兼容，产品的响应速度更快，更加适合目前通信领域的应用环境。