高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺专利查询专利号|摘要-满商公司网

高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺

基本信息

申请号	CN202110423467.7	申请日	-
公开（公告）号	CN113161238A	公开（公告）日	2021-07-23
申请公布号	CN113161238A	申请公布日	2021-07-23
分类号	H01L21/332;H01L29/06	分类	基本电气元件;
发明人	张兴杰;程万坡;卜程德;王荣元	申请（专利权）人	江苏韦达半导体有限公司
代理机构	南京苏科专利代理有限责任公司	代理人	陈栋智
地址	225000 江苏省扬州市邗江区科技园路8号8
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺，包括以下步骤：在单晶硅片上生长一层氧化层，在芯片边缘进行对通隔离扩散，再进行背面阳极区及正面短基区P扩散；在正面短基区P上进行磷扩散；在正面进行局部腐蚀，形成深沟槽；在正面门极与阴极交界处附近进行腐蚀，形成浅沟槽；在表面及沟槽内沉积一层SIPOS，作为PN结最底层的钝化层；在沟槽内、SIPOS上填充一层玻璃层作为最终的保护钝化层；通过LPCVD方法在表面生长一层氧化层作为引线孔光刻的过渡层；在正面、背面光刻出引线窗口，同时在边缘开出划片槽；正、背面金属化后，得到芯片。通过提高门极灵敏型触发可控硅的温度特性，来提高产品使用的最高结温，提升产品的高温适应性能。