一种固态电解质薄膜晶体管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510119192.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104835835A | 公开（公告）日 | 2015-08-12 |
| 申请公布号 | CN104835835A | 申请公布日 | 2015-08-12 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 武倩;邵宪一;边惠;郭小军 | 申请（专利权）人 | 武汉新驱创柔光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 南京华印半导体有限公司;武汉新驱创柔光电科技有限公司 |
| 地址 | 210046 江苏省南京市经济技术开发区兴科路12号紫金新港（南西）科创基地101-3室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种固态电解质薄膜晶体管及其制备方法。固态电解质薄膜晶体管包括：绝缘衬底(11)、源电极(12)、漏电极(13)、半导体层(14)、电解质绝缘层(15)、栅电极(16)和栅极衬底(17)。其中：所述绝缘衬底(11)位于晶体管的最底层，源电极(12)和漏电极(13)制备在绝缘衬底(11)之上。先在绝缘衬底上制备源/漏电极；其次在绝缘衬底和源/漏电极上制备半导体层；在栅极衬底上制备栅电极；将栅极衬底、栅电极与电解质绝缘层一同切割形成适当尺寸的小片，利用全自动或半自动自对准机械转移覆盖在半导体层沟道区域之上，完成器件制备。 |
