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半导体制冷片

基本信息

申请号 CN201720231208.3 申请日 -
公开（公告）号 CN206497902U 公开（公告）日 2017-09-15
申请公布号 CN206497902U 申请公布日 2017-09-15
分类号 H01L35/32(2006.01)I;H01L35/10(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 罗航宇 申请（专利权）人 四川中光高技术研究所有限责任公司
代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 代理人 四川中光高技术研究所有限责任公司
地址 610000 四川省成都市锦江区东大街牛王庙段100号1栋1单元19层
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及一种半导体制冷片，包括两个层叠设置的金属基板以及设置于它们之间的多个呈柱状的半导体制冷晶粒，多个半导体制冷晶粒呈矩阵排列；金属基板靠近半导体制冷晶粒的侧面均固定设置有多个导流金属片，多个半导体制冷晶粒通过多个导流金属片串联电连接；半导体制冷晶粒的端部均通过焊接物料与对应的导流金属片焊接，导流金属片的侧面上与对应的半导体制冷晶粒焊接的区域设有向内凹陷的凹陷部；本实用新型产品生产制造简单便捷,半导体制冷晶粒元件与导流金属片之间的连接更加牢固，焊接效果更好，能有效避免出现漏焊、空焊及焊接面出现孔洞等现象，焊接后产品质量更好、制冷效率更高。