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一种APC金属导电膜配线生产工艺

基本信息

申请号	CN201610922623.3	申请日	-
公开（公告）号	CN106560457A	公开（公告）日	2017-04-12
申请公布号	CN106560457A	申请公布日	2017-04-12
分类号	C03C17/36(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I	分类	玻璃；矿棉或渣棉;
发明人	屠有军;桂丹	申请（专利权）人	浙江大明玻璃有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	314204 浙江省平湖市独山港区兴港路789号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种APC金属导电膜配线生产工艺，包括以下步骤：提供基板并对所述基板进行预处理；在通入工作气体和反应气体的条件下，在磁控反应溅射镀膜腔室内利用磁控反应溅射在预处理过的所述基板上沉积ITO膜层，经过黄光蚀刻形成配线；以及在真空度为0.1Pa～1.0Pa的条件下，在所述ITO膜层上沉积APC膜层，并经黄光蚀刻形成配线。磁控反应溅射的靶材分别为氧化铟锡和银钯铜合金，工作气体为氩气，反应气体为氧气。相对于传统的钼铝钼金属膜的制备方法，通过实施APC替代MOALMO镀膜、蚀刻工艺及配合ITO TH工艺的技术路线，实现高导电性能、高信赖性、更具经济效益的SENSOR配线的批量化产出，满足日益增长的平板、手机、车载、工控、医疗用触摸屏的市场需求。