一种用于模拟非线性现象的忆阻器模型
基本信息
| 申请号 | CN202111372705.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114065680A | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN114065680A | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | G06F30/36（2020.01）I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 环宇翔;李枫;徐佳唯;王德豫;郑立荣;梁龙飞 | 申请（专利权）人 | 上海新氦类脑智能科技有限公司 |
| 代理机构 | 无锡经诚知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 丁雨燕 |
| 地址 | 200000上海市杨浦区邯郸路220号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种用于模拟非线性现象的忆阻器模型，由VTEAM模型模块和窗函数模块构，所述窗函数模块包括用于控制幅度大小的j，和用于控制窗函数线性度的p，且j和p可以是任意正实数，可覆盖几乎整个矩形区域。本忆阻器模型可有效地模拟忆阻器非线性掺杂剂漂移现象，并且模型通过控制参数j和p来调节非线性度，可有效解决忆阻器窗函数模存在的边界效应、边界锁定、不灵活性和高复杂度问题。 |
