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一种半导体器件及其应用与制造方法

基本信息

申请号	CN202111424557.4	申请日	-
公开（公告）号	CN113889531A	公开（公告）日	2022-01-04
申请公布号	CN113889531A	申请公布日	2022-01-04
分类号	H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	林信南;石黎梦	申请（专利权）人	深圳市晶相技术有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	王积毅
地址	518000广东省深圳市坪山区坑梓街道秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋511
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其应用与制造方法，所述半导体器件包括：衬底；沟道层，设置在所述衬底上；势垒层，设置在所述沟道层上；第一氮化镓层，设置在所述势垒层上，且覆盖所述势垒层；第二氮化镓层，设置在所述第一氮化镓层上；第三氮化镓层，设置在所述第二氮化镓层上；第一漏极，设置在所述第三氮化镓层上；第一源极，设置在所述第三氮化镓层上，且所述第一源极和所述第一漏极之间形成凹部；以及第一栅极，设置在所述势垒层上，且所述第一栅极覆盖所述凹部，以及所述第一源极和所述第一漏极靠近所述凹部的顶部；其中，所述第二氮化镓层和所述第三氮化镓层位于所述源极和所述漏极与所述势垒层之。通过本发明提供的一种半导体器件，可改善集成半导体器件的质量。