一种发光二极管及其应用

基本信息

申请号 CN202111673512.0 申请日 -
公开(公告)号 CN114300402A 公开(公告)日 2022-04-08
申请公布号 CN114300402A 申请公布日 2022-04-08
分类号 H01L21/677(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陈卫军 申请(专利权)人 深圳市晶相技术有限公司
代理机构 上海光华专利事务所(普通合伙) 代理人 王积毅
地址 529000广东省江门市江海区彩虹路1号3幢首层、二层,7幢二层(信息申报制、一址多照)
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提出一种发光二极管及其应用,包括:衬底;第一半导体层,设置在所述衬底上;有源层,设置在所述第一半导体层上;第二半导体层,设置在所述有源层上;第一导电结构,设置在所述第一半导体层上;以及第二导电结构,设置在所述第二半导体层上;其中,所述第一导电结构和所述第二导电结构包括依次设置的黏合层、伸缩层、叠嶂层和焊接层。通过本发明提供的一种发光二极管,可改善焊接效果。