一种半导体外延结构及其应用
基本信息
| 申请号 | CN202111673455.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114121746A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114121746A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L21/677（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈卫军 | 申请（专利权）人 | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 王积毅 |
| 地址 | 518000广东省深圳市坪山区坑梓街道秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋511 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出一种半导体外延结构及其应用，所述半导体外延结构包括：衬底；第一半导体层，设置在所述衬底上；应力释放层，设置在所述第一半导体上；第一有源层，设置在所述应力释放层上；第二有源层，设置在所述第一有源层上；第二半导体层，设置在所述有源层上。通过本发明提供的一种半导体外延结构及其应用，可改善半导体结构的发光质量。 |
