一种发光二极管及其应用
基本信息
| 申请号 | CN202111673485.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114121747A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114121747A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L21/677（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈卫军 | 申请（专利权）人 | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 王积毅 |
| 地址 | 529000广东省江门市江海区彩虹路1号3幢首层、二层，7幢二层（信息申报制、一址多照） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出一种发光二极管及其应用，且所述发光二极管包括：衬底；半导体外延结构，设置在所述衬底上；透明导电层，设置在所述半导体外延结构上；第一填平层，设置在所述透明导电层上；第二填平层，设置在所述第一填平层电层上，且所述第一填平层的颗粒密度大于所述第二填平层的颗粒密度；第一电极，设置在所述半导体外延结构的第一半导体层上；以及第二电极，设置在所述透明导电层上。通过本发明提供的一种发光二极管，可改善发光效果。 |
