一种半导体器件及其应用与制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111423723.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113990948A | 公开（公告）日 | 2022-01-28 |
| 申请公布号 | CN113990948A | 申请公布日 | 2022-01-28 |
| 分类号 | H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 林信南;石黎梦 | 申请（专利权）人 | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 王积毅 |
| 地址 | 518000广东省深圳市坪山区坑梓街道秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋511 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其应用与制造方法，所述半导体器件包括：衬底；沟道层，设置在所述衬底上；势垒层，设置在所述沟道层上；栅介质层，设置在所述势垒层上；漏极，设置在所述栅介质层上，且与所述沟道层接触；源极，设置在所述栅介质层上，且与所述沟道层接触；栅极，设置在所述栅介质层上，且位于所述源极和所述漏极之间；以及场板，所述场板的一端与所述栅介质层连接，且位于所述源极和所述漏极之间，另一端延伸出所述栅介质层，并向着所述栅极上方延伸。通过本发明提供的一种半导体器件，可增加半导体器件的击穿电压。 |
