激光蚀刻银浆的制备方法

基本信息

申请号 CN201410082735.3 申请日 -
公开(公告)号 CN103824611B 公开(公告)日 2017-04-19
申请公布号 CN103824611B 申请公布日 2017-04-19
分类号 H01B1/22(2006.01)I;H01B1/24(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;G06F3/044(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 田耕;刘洪 申请(专利权)人 郴州元贞高新创业投资管理有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 510665 广东省广州市天河区东圃车陂路黄洲工业区大院内自编11号第1层西
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种激光蚀刻银浆,包括银粉,高分子树脂,溶剂,所述激光蚀刻银浆还包括银粉重量0.001‑0.1%的纳米导电碳粒子。本发明还涉及激光蚀刻银浆的制备方法,银粉处理:将纳米导电碳粒子在部分溶剂中分散均匀后,加入银粉,加热至10%‑60%的溶剂挥发;高分子树脂处理:加入高分子树脂和剩余溶剂,加热充分溶解,过滤杂质或不溶物;银浆制备:将处理后的银粉和高分子树脂在三辊机中研磨至细度1‑8微米,得到激光蚀刻银浆。本发明提供的激光蚀刻银浆,通过添加少量的导电碳粒子,增强了体系的分散性,进一步降低了体积电阻率。