一种SRAM芯片
基本信息
| 申请号 | CN201820058977.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN207742937U | 公开（公告）日 | 2018-08-17 |
| 申请公布号 | CN207742937U | 申请公布日 | 2018-08-17 |
| 分类号 | G11C11/413 | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 王贵良 | 申请（专利权）人 | 北京中科戎大科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 中国有色金属工业专利中心 | 代理人 | 北京中科戎大科技股份有限公司 |
| 地址 | 100192 北京市海淀区西小口路66号D-3楼101室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提出一种SRAM芯片，包括独立的读写双端口阵列、IO控制、模块配置、冲突检出逻辑、地址和计数器逻辑、邮箱、JTAG、复位逻辑程序模块，并提供两种操作模式：同步和直通。同步操作中每端口最大单数据速率为150MHz×36。该SRAM芯片还设有可调匹配电阻、反馈时钟、内部电路断电功能，可调匹配电阻加强数据传输特性，反馈时钟提高数据传输，内部电路断电可降低静态功耗。本实用新型的SRAM芯片能够提高自身读写及存储性能，且读写速率快、功耗低。 |
