半导体结构制作方法及半导体结构
基本信息
| 申请号 | CN202110032629.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114765130A | 公开（公告）日 | 2022-07-19 |
| 申请公布号 | CN114765130A | 申请公布日 | 2022-07-19 |
| 分类号 | H01L21/8238（2006.01）I;H01L27/092（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨蒙蒙;白杰 | 申请（专利权）人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 230011安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例属于半导体制作技术领域，涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构，用于解决半导体结构性能较差的问题。该半导体结构制作方法包括：提供基底，基底包括第一区域以及第二区域；在基底上形成介质层；在介质层上形成具有第一金属氧化物层的第一扩散膜层；去除第二区域对应的第一扩散膜层；在第二区域对应的介质层上形成第二扩散膜层，第二扩散膜层包括与介质层接合的第二金属氧化物层；退火处理，使第一金属氧化物层中的第一金属元素扩散至第一区域对应的介质层中，同时使第二金属氧化物层中的第二金属元素扩散至第二区域对应的介质层中；由于第二金属氧化物层与介质层接触，第二金属元素易扩散至介质层中，从而提高半导体的性能。 |
