半导体结构的制备方法及半导体结构
基本信息
| 申请号 | CN202110047069.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114765107A | 公开（公告）日 | 2022-07-19 |
| 申请公布号 | CN114765107A | 申请公布日 | 2022-07-19 |
| 分类号 | H01L21/28（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/51（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨蒙蒙;白杰 | 申请（专利权）人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 230011安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，用于解决半导体结构的氧化物厚度较大的技术问题。该半导体结构的制备方法包括：提供基底，基底包括器件区域和浅沟槽隔离区域，浅沟槽隔离区域环绕器件区域，器件区域暴露于基底表面；于基底上沉积阻挡层，阻挡层至少覆盖器件区域；形成初始氧化物，初始氧化物位于器件区域内，且与阻挡层接触；去除部分初始氧化物，形成器件氧化物。形成初始氧化物时，利用阻挡层遮挡器件区域，可以减缓初始氧化物的生长速率，控制初始氧化物的厚度，形成较薄的初始氧化物，最终形成较薄的器件氧化物。此外，去除部分初始氧化物后形成器件氧化物，进一步减小了器件氧化物的厚度。 |
