半导体结构的制造方法和半导体结构的制造设备

基本信息

申请号 CN202110043371.8 申请日 -
公开(公告)号 CN114765126A 公开(公告)日 2022-07-19
申请公布号 CN114765126A 申请公布日 2022-07-19
分类号 H01L21/768(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李世鸿 申请(专利权)人 长鑫存储技术有限公司
代理机构 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 -
地址 230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构的制造设备,半导体结构的制造方法,包括:提供基底;在所述基底上形成图形化的光刻胶层,以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述基底;刻蚀所述基底后,采用等离子体灰化机对所述图形化的光刻胶层和刻蚀产生的残留物进行等离子体灰化处理;所述等离子体灰化处理的过程在无氧环境中进行。本发明实施例能够去除半导体结构上的残留物,且不产生新的残留物,进而能提高半导体结构的电性能。