半导体结构制作方法及半导体结构
基本信息
| 申请号 | CN202110033539.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114765132A | 公开（公告）日 | 2022-07-19 |
| 申请公布号 | CN114765132A | 申请公布日 | 2022-07-19 |
| 分类号 | H01L21/8238（2006.01）I;H01L27/092（2006.01）I;H01L27/108（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 白杰;尤康 | 申请（专利权）人 | 长鑫存储技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 230011安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例属于半导体制作技术领域，涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构，用于解决容易损伤第二区域对应的膜层的问题。该半导体结构制作方法包括：在介质层上形成第一扩散膜层，第一扩散膜层的厚度不小于掺杂层的厚度；在第一扩散膜层上形成硬掩膜；向基底蚀刻第一区域和第二区域对应的各膜层，直至暴露出第一区域对应的第一扩散膜层；之后，去除第二区域对应的介质层上残留的第一金属氧化物层；由于掺杂层的存在，第二区域对应的硬掩膜厚度较小，在暴露第一区域的第一扩散膜层时，第二区域对应的第一扩散膜层刚好被除尽或者残留部分第一扩散膜层，进而避免了第二区域对应膜层的损伤。 |
