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半导体结构尺寸的测量方法及设备

基本信息

申请号 CN202110053191.8 申请日 -
公开（公告）号 CN114765113A 公开（公告）日 2022-07-19
申请公布号 CN114765113A 申请公布日 2022-07-19
分类号 H01L21/66（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 李政 申请（专利权）人 长鑫存储技术有限公司
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 230011安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请实施例提供了一种半导体结构尺寸的测量方法及设备，在测量过程中，先控制原子力显微镜的探针从预设基准位置沿垂直于待测半导体结构顶表面的方向，朝待测半导体结构顶表面移动第一距离，然后控制探针沿平行于待测半导体结构顶表面的方向保持上述第一距离对待测半导体结构表面进行扫描，并检测探针在待测半导体结构表面上的各个扫描点的振幅；根据探针在待测半导体结构表面上的各个扫描点的振幅，确定待测半导体结构的关键尺寸。本申请在待测半导体结构的表面存在高深宽比的沟槽时，能够避免对待测半导体结构造成破坏，测量方式简单，不受待测半导体结构表面构造的影响，使用范围更加广泛。