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半导体结构的制造方法和半导体结构

基本信息

申请号 CN202110047944.4 申请日 -
公开（公告）号 CN114765108A 公开（公告）日 2022-07-19
申请公布号 CN114765108A 申请公布日 2022-07-19
分类号 H01L21/336（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/51（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L27/108（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 杨蒙蒙;白杰 申请（专利权）人 长鑫存储技术有限公司
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 230011安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，涉及半导体制造技术领域，旨在解决现有的半导体结构制造过程中的热预算较高，且炉管的无定形硅层影响功函数层对晶体管的功函数调节过程的问题。本发明的半导体结构的制造方法包括形成第一堆栈层；在第一堆栈层上设置牺牲层。热退火处理第一堆栈层和牺牲层，第一堆栈层形成第二堆栈层。去除牺牲层和第二堆栈层中的功函数复合层和第一导电层，保留第二堆栈层中的衬底、第二界面层和高介电常数层。在高介电常数层上形成栅极层。本发明能够优化半导体结构的功函数调整过程，提升半导体结构的性能。