一种FCE二极管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201711097975.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109768075B | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN109768075B | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/861（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘国友;朱利恒;戴小平;罗海辉;黄建伟 | 申请（专利权）人 | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京聿宏知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吴大建;张杰 |
| 地址 | 412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种FCE二极管及其制造方法。所述FCE二极管包括：漂移层；位于漂移层的第一表面上的P型层；位于漂移层的第二表面上的N‑缓冲层；通过向N‑缓冲层注入N型离子而形成的N++掺杂层，其中N++掺杂层的厚度小于N‑缓冲层的厚度；通过刻蚀N++掺杂层而形成的多个N++掺杂区以及每两个相邻N++掺杂区之间的沟槽，沟槽的底部10接触所述N‑缓冲层；通过沟槽向N‑缓冲层注入P型离子而形成的不与N++掺杂区接触的P++掺杂区，其中P++掺杂区的厚度小于N‑缓冲层的厚度。采用本发明在保证较好的软恢复特性的同时提高P++掺杂区的接触效果，进而同时降低了FCE二极管阴极面的接触电阻。 |
