一种半导体器件制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110418968.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113345807A | 公开（公告）日 | 2021-09-03 |
| 申请公布号 | CN113345807A | 申请公布日 | 2021-09-03 |
| 分类号 | H01L21/331（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L29/08（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 姚尧;罗海辉;何逸涛;罗湘;管佳宁;张鸿鑫;唐智慧;王梦洁 | 申请（专利权）人 | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京聿宏知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吴大建;陈敏 |
| 地址 | 412001湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制备方法，通过激光退火对衬底背面的第一导电类型掺杂层进行局部退火，利用激光退火后退火区域比未进行退火区域的抗刻蚀能力强的特性，可以基于激光退火区域和未进行激光退火区域的抗刻蚀差异性，仅刻蚀掉第一导电类型掺杂层中未进行退火的区域进行刻蚀以在该区域形成凹槽，最后通过在衬底的背面注入第二导电类型离子并进行激光退火，从而能在衬底背面形成凹凸结构的第一导电类型集电极层和第二导电类型集电极层。该方法有效避免了光刻工艺并降低了碎片率，极大的提高了背面图形化半导体器件的制备效率并降低了制造成本。 |
