半导体功率组件的热仿真方法

基本信息

申请号 CN201610780319.X 申请日 -
公开(公告)号 CN107784142B 公开(公告)日 2021-10-19
申请公布号 CN107784142B 申请公布日 2021-10-19
分类号 G06F30/23(2020.01)I 分类 计算;推算;计数;
发明人 谢腾飞;颜骥;任亚东;张明;曾文彬;刘应;孙文伟;郭金童;唐豹 申请(专利权)人 株洲中车时代半导体有限公司
代理机构 北京聿华联合知识产权代理有限公司 代理人 朱绘;王红
地址 412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼309室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种半导体功率组件的热仿真方法,所述半导体功率组件包括至少两个子构件,所述半导体功率组件的热仿真方法包括:建立多个子构件的有限元模型库;从所述有限元模型库中选择子构件的有限元模型,并进行装配以形成半导体功率组件的有限元模型;以及对所述半导体功率组件的有限元模型进行热仿真计算。通过这种方法能够以较高的效率进行热仿真。