一种纯硅沸石膜及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | 2020111771605 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112279265A | 公开（公告）日 | 2021-01-29 |
| 申请公布号 | CN112279265A | 申请公布日 | 2021-01-29 |
| 分类号 | C01B39/04(2006.01)I;C01B37/02(2006.01)I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 吴苏州;陈俊孚;任嵬 | 申请（专利权）人 | 武汉市晶博特科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李明香 |
| 地址 | 430000湖北省武汉市东湖新技术开发区关东工业园达瑞路2号众创楼一楼110室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种纯硅沸石膜及其制备方法和应用，所述制备方法先以适宜尺寸的沸石晶粒修饰多孔载体，然后在修饰晶粒的载体表面涂覆硅溶胶，在不使用传统水热晶化液的条件下，将传统晶化液中的硅源和模板剂分别供给，并精确调控模板剂蒸汽压力和去离子水的压力直接制备纯硅沸石膜，提高了材料利用率，优化纯硅沸石膜的结构，克服了传统水热晶化制备沸石膜缺陷多、浪费原料等问题，仅通过精确控制模板剂和去离子水压力即可控制纯硅沸石膜的微观结构。通过本发明的方法制备得到的纯硅沸石膜缺陷少、成品率高，在水醇混合物分离中表现出优异的性能。 |
