一种双层反应腔体结构
基本信息
申请号 | CN202022645565.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN213845292U | 公开(公告)日 | 2021-07-30 |
申请公布号 | CN213845292U | 申请公布日 | 2021-07-30 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C30B31/00(2006.01)I;C21D1/26(2006.01)I;C23C16/00(2006.01)I;F16J15/06(2006.01)I;F16F15/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 林佳继;庞爱锁;刘群;李东林 | 申请(专利权)人 | 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司 |
代理机构 | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人 | 董世博 |
地址 | 214000江苏省无锡市锡山区锡北镇锡港路张泾东段209号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型为一种双层反应腔体结构,包括炉口、腔体以及炉尾;腔体设置于炉口以及炉尾之间;腔体包括内层腔体以及外层腔体,内层腔体设置于外层腔体的内部;外层腔体分别与炉口以及炉尾固定连接;内层腔体与炉口可拆式连接,内层腔体还与炉尾连接;通过设置内层腔体和外层腔体的结构,在内层腔体上形成膜,由外层腔体承受真空压力,实现膜应力和真空压力的分离,进而增强腔体的承受能力。 |
