一种用于半导体晶片加工的研磨液的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010907453.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111995983A | 公开（公告）日 | 2020-11-27 |
| 申请公布号 | CN111995983A | 申请公布日 | 2020-11-27 |
| 分类号 | C09K3/14(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I | 分类 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用; |
| 发明人 | 南振华;祁有丽 | 申请（专利权）人 | 中科孚迪科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 长沙大珂知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 中科孚迪科技发展有限公司 |
| 地址 | 410500湖南省岳阳市湘阴县金龙新区卓达金谷创业园12号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种用于半导体晶片加工的研磨液的制备方法，涉及硬脆材料研磨抛光加工技术领域。本发明公开的用于半导体晶片加工的研磨液的制备方法，具体步骤为：将增稠剂、润湿剂、偶联剂、分散剂、润滑剂、消泡剂依次加入到溶剂中搅拌均匀，加入去离子水，搅拌均匀至形成均一流体，然后加入固体磨料，搅拌直至形成稳定均一的悬浮体系。本发明制备的研磨液悬浮性能稳定，加工过程中研磨剂不易沉底，可重复循环使用多次；流动性良好，不会出现结块现象，避免堵塞输液管道；表面润湿性和分散性俱佳，加工过程中研磨液分布均匀，避免加工界面产生划伤，提高加工良品率；易清洗，避免为后续加工过程引入杂质，研磨去除率高，提高加工效率。 |
