半导体封装结构及其制作方法
基本信息
申请号 | CN202110631929.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113380782A | 公开(公告)日 | 2021-09-10 |
申请公布号 | CN113380782A | 申请公布日 | 2021-09-10 |
分类号 | H01L25/18(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 林耀剑;刘硕;周莎莎;陈建;陈雪晴 | 申请(专利权)人 | 江苏长电科技股份有限公司 |
代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 沈晓敏 |
地址 | 214430江苏省无锡市江阴市江阴高新区长山路78号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提出了一种半导体封装结构,所述封装结构包括:主体基板,包括上表面电路、下表面电路以及将两者连接的侧面,上表面电路和下表面电路电性连通;芯片,具有相对的第一连接面和第二连接面,第一连接面电性连接于下表面电路;塑封层,完全包覆基板的侧面,且至少部分包覆下表面电路和芯片;背金层,包括与芯片的第二连接面相连接的至少一个第一金属连接部,第一金属连接部包括延伸并凸出塑封层外的延展面,延展面的面积之和大于第二连接面的面积。本发明在降低生产成本的同时解决了芯片的散热问题,并提高了封装结构的防潮能力。 |
