一种经济型硅压力传感器芯片及加工方法
基本信息
| 申请号 | CN202110288972.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113140638A | 公开（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申请公布号 | CN113140638A | 申请公布日 | 2021-07-20 |
| 分类号 | H01L29/84（2006.01）I;G01L1/18（2006.01）I;H01L21/306（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 贾文博;张治国;祝永峰;任向阳;郑东明;关维冰;尹萍;白雪松;海腾;冯艳敏;周聪;肖文英;刘欣慧 | 申请（专利权）人 | 沈阳仪表科学研究院有限公司 |
| 代理机构 | 沈阳科威专利代理有限责任公司 | 代理人 | 杨滨 |
| 地址 | 110172辽宁省沈阳市浑南新区高科路23-3号405室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种经济型硅压力传感器芯片及加工方法，它包括有：在单晶硅衬底层所加工成的硅膜片，敏感电阻及压焊点，技术要点是：该传感器芯片为背面受压，且用整体KOH腐蚀的方法，避免了传统方法各向异性腐蚀产生的斜坡，使硅片得到了更加有效的利用。在封接时选择正面封接，而电极从背面引出。该方法是将经清洗的抛光硅片，依次经氧化、光刻、刻蚀、退火，溅射金属等工艺的组合制备。本发明所制备的芯片，其传感器稳定和性能与传统的硅压力传感器无差别，但是其经济型很好，成本可以降低60%~80%，芯片尺寸降低70%‑90%，此外传感器的过载性能比传统的硅压力传感器可提升2‑8倍。 |
