基于磁控溅射技术制备高精密波长渐变滤光片的方法及其采用的装置
基本信息
| 申请号 | CN202110519659.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113249699A | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN113249699A | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | C23C14/35（2006.01）I;C23C14/04（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/10（2006.01）I;C23C14/50（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 王忠连;任少鹏;阴晓俊;赵帅锋;王瑞生;高鹏;杨文华;张勇喜 | 申请（专利权）人 | 沈阳仪表科学研究院有限公司 |
| 代理机构 | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郭元艺 |
| 地址 | 110043辽宁省沈阳市大东区北海街242号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属滤光片制备领域，尤其涉及一种基于磁控溅射技术制备高精密波长渐变滤光片的方法及其采用的装置，系将滤光片基底固定在圆形平板状且能绕自身中心轴快速旋转的工件盘的上表面，使滤光片基底的镀膜面朝上，然后高速旋转工件盘；依据设定的波长渐变滤光片膜系，开始靶材溅射并通过等离子源辅助沉积和光控对膜厚进行控制。本发明以磁控溅射工艺为基础，采取集成反向掩膜的方式实现光谱渐变，产品可以同时满足线性度、旁次峰截止、深背景的技术要求；该方法可以实现一次同时镀制两种不同的波长渐变滤光片。 |
