一种提高抗短路能力的沟槽栅IGBT结构
基本信息
| 申请号 | CN202023147748.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213692061U | 公开（公告）日 | 2021-07-13 |
| 申请公布号 | CN213692061U | 申请公布日 | 2021-07-13 |
| 分类号 | H01L29/739;H01L29/423 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张伟;薛云峰;孙亚倩 | 申请（专利权）人 | 深圳吉华微特电子有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市中科创为专利代理有限公司 | 代理人 | 冯建华;刘曰莹 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市龙岗区龙城街道龙岗天安数码创新园二号厂房A1201 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种提高抗短路能力的沟槽栅IGBT结构，包括：设置于P‑阱区和N‑漂移区上的多个沟槽，每一所述沟槽的下部填充第一绝缘介质，每一所述沟槽的上部按比例填充第二绝缘介质和多晶硅。本实用新型提供一种提高抗短路能力的沟槽栅IGBT结构，其在每一沟槽的下部填充绝缘介质，每一沟槽的上部按比例选择性地填充绝缘介质或多晶硅，填充多晶硅的部分形成栅极，填充绝缘介质的部分形成假栅，当栅极电压达到开启电压时，栅极形成电子通道，假栅部分无法形成电子导电通道，该设计有效的降低了沟道密度，减小了饱和电流，提高了器件的抗短路能力。另一方面，填充的绝缘介质有效减小了栅极电容，提高了器件开关速度。 |
