平面型IGBT结构
基本信息
| 申请号 | CN202011330868.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112447826A | 公开（公告）日 | 2021-03-05 |
| 申请公布号 | CN112447826A | 申请公布日 | 2021-03-05 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴郁;方明;胡冬青;刘广海;薛云峰 | 申请（专利权）人 | 深圳吉华微特电子有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市中科创为专利代理有限公司 | 代理人 | 冯建华;彭涛 |
| 地址 | 100124北京市朝阳区平乐园100号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开平面型IGBT结构，包括芯片主体，所述芯片主体上设有多个平行分布的P阱，多个P阱间的步距由芯片主体的中心向边缘由小变大取值设置。通过对多个平行分布的P阱间的步距进行设置，使得多个P阱在芯片上的分布由中心向边缘由密变疏，该设置使得芯片中心区域的通态压降略高，周围区域的通态压降低，有效改善了芯片的散热性能及芯片上温度分布不均匀而导致的电流分布不均匀的情况，沟道沿(100)晶面的<100>晶向导电也提高芯片的导电性能。本发明的设计使平面型IGBT具有优异的散热一致性，防止芯片由于温度分布不均，某一点过热而导致烧毁，损毁整个芯片，大大提高芯片的可靠性。 |
