一种超低VF软快恢复二极管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110241329.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112786708A | 公开（公告）日 | 2021-05-11 |
| 申请公布号 | CN112786708A | 申请公布日 | 2021-05-11 |
| 分类号 | H01L29/868;H01L29/66 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李环伟;田旭;雷正龙;许冬梅;孙亚倩;卢昂 | 申请（专利权）人 | 深圳吉华微特电子有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市中科创为专利代理有限公司 | 代理人 | 冯建华;刘曰莹 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市龙岗区龙城街道龙岗天安数码创新园二号厂房A1201 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种超低VF软快恢复二极管及其制造方法，该超低VF软快恢复二极管从上到下依次为：第一金属电极、氧化层、肖特基势垒、P+环和P‑阱、N‑高阻层、N+衬底层、第二金属电极，其中，所述肖特基势垒覆盖有源区的非P‑阱区，所述肖特基势垒占有源区面积的4/6‑5/6，所述P‑阱占有源区面积的1/6‑2/6。其通过将SBD二极管与PIN二极管相结合构成一新型的二极管，在PIN二极管的基础上，在有源区额外增加肖特基势垒的小岛，在有源区构成P‑阱区与肖特基势垒交替存在的并联结构，结合了SBD二极管和FRD(FastRecoveryDiode)二极管的优点，正向压降低且软快恢复参数优异。 |
