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具有内嵌沟道二极管的分离栅MOS结构

基本信息

申请号	CN202110469803.1	申请日	-
公开（公告）号	CN113193042A	公开（公告）日	2021-07-30
申请公布号	CN113193042A	申请公布日	2021-07-30
分类号	H01L29/423;H01L29/78;H01L27/06	分类	基本电气元件;
发明人	李新宇;贾云鹏;周新田;贾国;赵元富;王大明;方星宇;王立昊;胡冬青;吴郁;邓中翰	申请（专利权）人	深圳吉华微特电子有限公司
代理机构	深圳市中科创为专利代理有限公司	代理人	冯建华;彭涛
地址	100124 北京市朝阳区平乐园100号
法律状态	-

摘要

本发明涉及MOS管结构技术领域，尤其涉及一种具有内嵌沟道二极管的分离栅MOS结构，包括沟道二极管多晶硅、MOSFET栅极多晶硅及对称设置的第一栅氧化层与第二栅氧化层，所述沟道二极管多晶硅设置在第一栅氧化层内，所述MOSFET栅极多晶硅设置在第二栅氧化层内，所述沟道二极管多晶硅朝向MOSFET栅极多晶硅所对应的第一栅氧化层的厚度D1小于MOSFET栅极多晶硅朝向沟道二极管多晶硅所对应的第二栅氧化层的厚度D2。本发明的具有内嵌沟道二极管的分离栅MOS结构具有较小的反向开启电压，优化了反向电流震荡的问题，有利于解决目前SGTMOS技术的反向恢复能力较弱的技术问题，同时提升了产品的效率性，相较于并联体外二极管的方式，也降低了电路的复杂程度及生产成本。