平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110137004.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112802755A | 公开（公告）日 | 2021-05-14 |
| 申请公布号 | CN112802755A | 申请公布日 | 2021-05-14 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 苏晓山;贾国;卢昂;李明宇;王大明 | 申请（专利权）人 | 深圳吉华微特电子有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市中科创为专利代理有限公司 | 代理人 | 冯建华;刘曰莹 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市龙岗区龙城街道龙岗天安数码创新园二号厂房A1201 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法，包括如下步骤：步骤S 1：在N型硅片表面沉积氧化硅并进行光刻刻蚀；步骤S2：去除部分氧化硅以形成沟槽刻蚀窗口，并进行沟槽刻蚀；步骤S3：去除N型硅片表面的氧化硅并对N型硅片的表面进行氧化形成氧化硅，并在氧化硅上再沉积一层氧化硅，并在上一层的氧化硅上沉积多晶硅；步骤S4：刻蚀步骤S3中的多晶硅及多晶硅下的两层氧化硅，进行栅氧化，沉积多晶硅，在多晶硅上沉积氧化硅；步骤S5：进行多晶硅的光刻刻蚀，再进行氧化硅的刻蚀，刻蚀出P‑注入窗口；步骤S6：进行P‑注入及推结；步骤S7：刻蚀出N+注入窗口并进行N+注入及退火。 |
