一种高抗短路能力的沟槽栅IGBT
基本信息
| 申请号 | CN202110167453.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112750902A | 公开（公告）日 | 2021-05-04 |
| 申请公布号 | CN112750902A | 申请公布日 | 2021-05-04 |
| 分类号 | H01L29/739;H01L29/423 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张伟;王修中;许冬梅;雷正龙;宋吉昌;李环伟 | 申请（专利权）人 | 深圳吉华微特电子有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市中科创为专利代理有限公司 | 代理人 | 冯建华;刘曰莹 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市龙岗区龙城街道龙岗天安数码创新园二号厂房A1201 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种高抗短路能力的沟槽栅IGBT，从上到下依次为：发射极、介质层、N+源区、P‑阱区、N‑漂移区、N+缓冲层、P+集电极和集电极电极，其特征在于，介质层下还包括：两第一沟槽，每一第一沟槽内形成一第一栅极，两第一沟槽间设有偶数个第二沟槽，每一第二沟槽内形成一第二栅极；第一沟槽位于P‑阱区和N‑漂移区，第二沟槽位于N+源区和P‑阱区内，第二沟槽通过N+源区与第一沟槽相连接。本发明在两第一沟槽间设置偶数个第二沟槽，当第一栅极和第二栅极电压达到开启电压时，第二沟槽的侧壁和底部也形成电子导电通道，与第一沟槽的电子导电通道相连接，增加了总沟道的长度，提高了器件抗短路能力。 |
