一种低成本的大功率电子器件封装工艺
基本信息
| 申请号 | CN201410257016.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104078369B | 公开（公告）日 | 2017-01-04 |
| 申请公布号 | CN104078369B | 申请公布日 | 2017-01-04 |
| 分类号 | H01L21/50;H01L21/60 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马文珍;张耀辉;曾大杰;彭虎 | 申请（专利权）人 | 长沙瑶华半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 范晴 |
| 地址 | 215300 江苏省苏州市昆山市周庄镇秀海路188号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种低成本大功率电子器件封装工艺，准备好封装大功率电子器件的芯片和法兰，在芯片背面制作厚金层或者金锡层，在法兰表面先镀镍层，再镀薄金层，芯片和法兰之间通过金硅共晶焊或者金锡共晶焊贴片。本发明所述的低成本大功率电子器件封装工艺在芯片背面制备厚金层或者金锡层，在法兰表面镀薄金，既可以达到良好的金硅共晶焊和金锡共晶焊效果，减小芯片和法兰之间热界面层的空洞率，保证芯片的散热效率，又可以大幅度的降低封装工艺中的镀金成本，并减少工序。 |
