一种SnSe2单晶的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210350394.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114686986A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114686986A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | C30B29/46（2006.01）I;C30B25/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 芦宏;杨闻涛;蘧延庆;贾宏葛;闫尔云;董美伶;耿国梁;王文强 | 申请（专利权）人 | 齐齐哈尔大学 |
| 代理机构 | 广州海藻专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 161006黑龙江省齐齐哈尔市建华区文化大街42号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种SnSe2单晶的制备方法，包括如下步骤：彻底清洗石英管，将其置于恒温干燥箱中干燥后，自然冷却至室温，装入高纯Sn粒、Se粒与碘颗粒；抽真空至真空度≤0.01Pa，再向其中通入高纯氩气至1000Pa，重复操作两次；在管内压强500～3000Pa的氩气保护下，将石英管密封；将已密封的石英管平放于小型箱式炉中，由室温升温至最高温，并保持48～144h后，以2～5℃/min的降温速率将炉膛温度降至300℃后，自然冷却至室温，即获得SnSe2单晶。本发明生长出来的SnSe2单晶取向性强，便于剥离；无杂质、少缺陷；大片、高质量；并且所需设备简单、能耗更低、操作便捷，同时制备周期短。 |
