基于二氧化硅的高比容量超级电容器电极材料及制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

基于二氧化硅的高比容量超级电容器电极材料及制备方法

基本信息

申请号	CN202110409927.0	申请日	-
公开（公告）号	CN113096966A	公开（公告）日	2021-07-09
申请公布号	CN113096966A	申请公布日	2021-07-09
分类号	H01G11/36（2013.01）I;H01G11/86（2013.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	孟凡成;赵一昕;徐斌	申请（专利权）人	广德天运新技术股份有限公司
代理机构	合肥未来知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	叶丹
地址	242200安徽省宣城市广德经济技术开发区
法律状态	-

摘要

本发明公开了基于二氧化硅的高比容量超级电容器电极材料及制备方法，将羧基化的碳纳米管（CNT）分散在乙醇水溶液中，再滴加正硅酸四乙酯，利用正硅酸四乙酯在碱性条件下的水解制备出纳米SiO2，最后通过包覆酚醛树脂再碳化得到，控制实验条件得到粒径较小且包覆纳米碳壳的SiO2球，其有着更多的电化学活性位点，表现出更大的比电容，纳米碳壳的有序结构可以适应SiO2在充放电时产生的体积变化，有效避免了机械断裂，增加了循环稳定性，且加入的高导电、高电化学活性的碳纳米管（CNT），使得纳米SiO2球沿着碳纳米管（CNT）有序生长，提高了硅基材料本身的导电性和碳基材料间的物理连接，可大幅提升该复合结构的电化学性能。