一种GaN外延废片回收的方法
基本信息
| 申请号 | CN201510187404.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104779326B | 公开（公告）日 | 2018-05-01 |
| 申请公布号 | CN104779326B | 申请公布日 | 2018-05-01 |
| 分类号 | H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李培咸;孟锡俊;王旭明;陈勘;刘大为;张翼;郭迟;黄兆斌;廉大桢;李建婷;李玮霖;张阳 | 申请（专利权）人 | 西安中为光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京鼎宏元正知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 西安中为光电科技有限公司 |
| 地址 | 710000 陕西省西安市电子城电子西街3号201号厂房二层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种GaN外延废片回收的方法，包括下述步骤：步骤二：把所述步骤一中处理的GaN外延废片浸泡到酸溶液或碱溶液中，然后加热酸溶液或碱溶液用来腐蚀GaN外延废片表面；步骤三：把所述步骤二中腐蚀完后的GaN外延废片取出，然后用清洗液清洗GaN外延废片表面。本发明所述GaN外延废片回收的方法不会抛弃大量的GaN外延废片，不仅节省了大量的生产成本，而且不会污染环境，做到了节能环保的作用。 |
