提高紫外LED紫外光纯度的结构及其方法
基本信息
| 申请号 | CN201610044270.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105449063B | 公开（公告）日 | 2017-11-14 |
| 申请公布号 | CN105449063B | 申请公布日 | 2017-11-14 |
| 分类号 | H01L33/32(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王旭明;李培咸;孟锡俊;黄兆斌;陈勘;廉大桢 | 申请（专利权）人 | 西安中为光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京鼎宏元正知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 西安中为光电科技有限公司 |
| 地址 | 710065 陕西省西安市电子城电子西街3号201号厂房二层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种提高紫外LED紫外光纯度的结构，包括Mg掺杂氮化镓层、活性层、高纯度不掺杂氮化镓层、Si掺杂GaN层、缓冲层和衬，其中，所述缓冲层生长在所述衬底上部；所述Si掺杂GaN层生长在所述缓冲层上部；所述活性层生长在所述高纯度不掺杂氮化镓层上部；所述Mg掺杂氮化镓层生长在所述活性层上部。本发明所述提高紫外LED紫外光纯度的结构及其方法通过引入高纯度不掺杂的氮化镓层，降低活性层中Mg元素的浓度，进而降低紫外LED中蓝色光的发光强度，提高紫外LED的紫外光纯度。 |
