高增益的紫外雪崩探测器
基本信息
申请号 | CN201710453903.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN107275435A | 公开(公告)日 | 2017-10-20 |
申请公布号 | CN107275435A | 申请公布日 | 2017-10-20 |
分类号 | H01L31/107(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 张翼;陈勘;杨路华;李培咸;廉大桢 | 申请(专利权)人 | 西安中为光电科技有限公司 |
代理机构 | 北京鼎宏元正知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 西安中为光电科技有限公司 |
地址 | 710000 陕西省西安市电子城电子西街3号201号厂房二层 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种高增益的紫外雪崩探测器,包括蓝宝石衬底,蓝宝石衬底上生长有外延层,i型AlyGa1‑yN吸收层上设置有N型欧姆接触电极和ITO分离层,ITO分离层上设置有SiO2倍增层,SiO2倍增层设置有Ni/Au肖特基接触层,Ni/Au肖特基接触层上还设置有P型欧姆接触电极;本发明的有益效果是:通过一种全新的高增益的紫外雪崩探测器制作方法,经过精确的膜层结构设计,实现器件击穿电压、响应度、增益因子、暗电流等参数的可调可控,还具有基础的外延片可根据不同的设计指标重复使用的特点。 |
