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一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法

基本信息

申请号 CN201710081998.6 申请日 -
公开（公告）号 CN106784200B 公开（公告）日 2018-10-19
申请公布号 CN106784200B 申请公布日 2018-10-19
分类号 H01L33/00;H01L33/22;H01L33/46 分类 基本电气元件;
发明人 杨路华;陈勘;闫秋迎;魏萍 申请（专利权）人 西安中为光电科技有限公司
代理机构 北京鼎宏元正知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 西安中为光电科技有限公司
地址 710000 陕西省西安市电子城电子西街3号201号厂房二层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及半导体加工领域，公开了一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其技术要点是：通过对晶圆进行化学抛光、生长粘附层、贴膜、隐形切割、翻转、背镀金属反射层和裂片，最终制得LED芯片，其中隐形切割时将晶圆和白膜粘接使隐形切割过程中因激光烧灼，蓝宝石衬底气化膨胀产生的杂质不会大面积喷在晶圆背面，只会存在于裂纹中，降低了背面污染，从而降低背镀层脱落几率，通过在蓝宝石衬底上生长粘附层，降低背镀层脱落概率由原先的20%降低至0.5%，部分光会在交界出形成全发射，一定程度上提高LED的出光效率，提升效果在10%左右。这种方法解决了现有隐形切割与背镀工艺中反射层脱落率高，LED发光效率不理想的问题。